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SI7846DP-T1-E3 Canal N Montaje en superficie 150V 4 A (Ta) 1.9W (Ta) PowerPAK® SO-8
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1 2.36000 $2.36
10 2.13300 $21.33
100 1.72690 $172.69
500 1.35802 $679.01
1,000 1.13671 $1,136.71
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7846DP-T1-E3CT-ND
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Cantidad disponible 21,412
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI7846DP-T1-E3

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Descripción MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 150V 4 A (Ta) 1.9W (Ta) PowerPAK® SO-8

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Documentos y medios
Hojas de datos SI7846DP
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 50mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.9W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7846DP-T1-E3CT
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  • Cantidad disponible: 21,412 - Inmediata
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19:02:52 4/24/2019