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SI7846DP-T1-E3 Canal N Montaje en superficie 150V 4 A (Ta) 1.9 W (Ta) PowerPAK® SO-8
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7846DP-T1-E3CT-ND
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Cantidad disponible 11,613
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI7846DP-T1-E3

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Descripción MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 150V 4 A (Ta) 1.9 W (Ta) PowerPAK® SO-8

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Documentos y medios
Hojas de datos SI7846DP
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 50 mOhm a 5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.9 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7846DP-T1-E3CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.39000 $2.39
10 2.15900 $21.59
100 1.73530 $173.53
500 1.34964 $674.82
1,000 1.11828 $1,118.28
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI7846DP-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 11,613 - Inmediata
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02:14:52 9/25/2018