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SI7810DN-T1-E3 Canal N Montaje en superficie 100V 3.4 A (Ta) 1.5 W (Ta) PowerPAK® 1212-8
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1 1.42000 $1.42
10 1.26100 $12.61
100 0.99630 $99.63
500 0.77262 $386.31
1,000 0.60996 $609.96
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7810DN-T1-E3CT-ND
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Cantidad disponible 859
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI7810DN-T1-E3

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Descripción MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 3.4 A (Ta) 1.5 W (Ta) PowerPAK® 1212-8

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Documentos y medios
Hojas de datos SI7810DN
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 62 mOhm a 5.4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 17nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.5 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7810DN-T1-E3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI7810DN-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.55271
  • Digi-Reel® ? : SI7810DN-T1-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 859 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

23:54:25 10/18/2018