• Artículo obsoleto.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7774DP-T1-GE3CT-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SI7774DP-T1-GE3

Descripción MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 60 A (Tc) 5 W (Ta), 48 W (Tc) PowerPAK® SO-8

Documentos y medios
Hojas de datos SI7774DP
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Obsolescencia PCN/ EOL SIL-0392016 16/Dec/2016
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Mosfet Assembly Site Chgs 24/Sep/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie SkyFET®, TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 60 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 66nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2630pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 5 W (Ta), 48 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.8 mOhm a 15 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7774DP-T1-GE3CT

03:21:28 2/18/2018

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