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SI7738DP-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 150V 30 A (Tc) 5.4 W (Ta), 96 W (Tc) PowerPAK® SO-8
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1 3.26000 $3.26
10 2.95900 $29.59
100 2.39570 $239.57
500 1.88406 $942.03
1,000 1.57703 $1,577.03
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7738DP-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI7738DP-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 150V 30 A (Tc) 5.4 W (Ta), 96 W (Tc) PowerPAK® SO-8

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Documentos y medios
Hojas de datos SI7738DP
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 38 mOhm a 7.7 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 53nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2100pF @ 75V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 5.4 W (Ta), 96 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7738DP-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI7738DP-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,686 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

17:28:27 2/15/2019