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SI7738DP-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 150V 30 A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) PowerPAK® SO-8
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.66000 $2.66
10 2.39400 $23.94
25 2.25840 $56.46
100 1.76140 $176.14
250 1.71628 $429.07
500 1.49044 $745.22
1,000 1.26462 $1,264.62
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI7738DP-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 6,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.24655
  • Digi-Reel®  : SI7738DP-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7,152 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI7738DP-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI7738DP-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI7738DP-T1-GE3
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Descripción MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 150V 30 A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) PowerPAK® SO-8

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 38mOhm a 7.7A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 53nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2100pF @ 75V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI7738DP-T1-GE3CT