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SI7716ADN-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 30V 16 A (Tc) 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) PowerPAK® 1212-8
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1 0.99000 $0.99
10 0.88800 $8.88
25 0.84280 $21.07
100 0.63200 $63.20
250 0.62600 $156.50
500 0.53572 $267.86
1,000 0.43641 $436.41
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI7716ADN-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
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  • Digi-Reel®  : SI7716ADN-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 22,344 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI7716ADN-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI7716ADN-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI7716ADN-T1-GE3
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Descripción MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 16 A (Tc) 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) PowerPAK® 1212-8

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Documentos y medios
Hojas de datos SI7716ADN ~
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Mfg/Test Qual 11/Sep/2019
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 16 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 13.5mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 846pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI7716ADN-T1-GE3CT