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SI7655ADN-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 20V 40 A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
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10 0.80800 $8.08
25 0.76720 $19.18
100 0.57540 $57.54
250 0.56988 $142.47
500 0.48768 $243.84
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  • Digi-Reel®  : SI7655ADN-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,357 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI7655ADN-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI7655ADN-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI7655ADN-T1-GE3
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Descripción MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 40 A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos SI7655ADN-T1-GE3
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Multiple Devices 11/Dec/2015
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.6mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 225nC @ 10V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6600pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de operación -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8S
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI7655ADN-T1-GE3CT