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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7625DN-T1-GE3CT-ND
Cantidad disponible 38,462
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SI7625DN-T1-GE3

Descripción MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
Plazo estándar del fabricante 27 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 35 A (Tc) 3.7 W (Ta), 52 W (Tc) PowerPAK® 1212-8

Documentos y medios
Hojas de datos SI7625DN
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Multiple Devices 11/Dec/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 35 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7 mOhm a 15 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 126nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4427pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.7 W (Ta), 52 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7625DN-T1-GE3CT

06:03:47 8/14/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.34000 $1.34
10 1.19000 $11.90
100 0.94030 $94.03
500 0.72918 $364.59
1,000 0.57567 $575.67

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad disponible: 38,462 - Inmediata
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