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SI7619DN-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 30V 24 A (Tc) 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) PowerPAK® 1212-8
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10 0.85500 $8.55
100 0.66400 $66.40
500 0.49750 $248.75
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7619DN-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 157,595
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI7619DN-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 24 A (Tc) 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) PowerPAK® 1212-8

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Documentos y medios
Hojas de datos SI7619DN
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 24 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 21mOhm a 10.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1350pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7619DN-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI7619DN-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 156,000 - Inmediata
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  • Digi-Reel® ? : SI7619DN-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 157,595 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

07:34:01 4/20/2019