• Artículo obsoleto.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7540DP-T1-E3CT-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SI7540DP-T1-E3

Descripción MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 12V 7.6A, 5.7A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

Documentos y medios
Hojas de datos Si7540DP
Obsolescencia PCN/ EOL SIL-0392016 16/Dec/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7.6 A, 5.7 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 17 mOhm a 11.8 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 17 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds -
Potencia máxima 1.4 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual
Número de pieza base SI7540
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7540DP-T1-E3CT

20:20:15 2/20/2018

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