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SI7489DP-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 100V 28 A (Tc) 5.2W (Ta), 83W (Tc) PowerPAK® SO-8
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.52000 $2.52
10 2.26600 $22.66
25 2.13760 $53.44
100 1.66730 $166.73
250 1.62452 $406.13
500 1.41076 $705.38
1,000 1.19700 $1,197.00
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI7489DP-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 18,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.17990
  • Digi-Reel®  : SI7489DP-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 20,004 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI7489DP-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI7489DP-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI7489DP-T1-GE3
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Descripción MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 100V 28 A (Tc) 5.2W (Ta), 83W (Tc) PowerPAK® SO-8

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Documentos y medios
Hojas de datos Si7489DP
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 28 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 41mOhm a 7.8A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 160nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4600pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI7489DP-T1-GE3CT