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SI7465DP-T1-E3 Canal P Montaje en superficie 60V 3.2 A (Ta) 1.5W (Ta) PowerPAK® SO-8
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8,638 En Stock
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.25000 $1.25
10 1.12100 $11.21
25 1.06400 $26.60
100 0.79800 $79.80
500 0.67640 $338.20
1,000 0.55100 $551.00
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI7465DP-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 6,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.54340
  • Cinta cortada (CT)  : SI7465DP-T1-E3CT-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 8,638 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.25000

SI7465DP-T1-E3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI7465DP-T1-E3DKR-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI7465DP-T1-E3
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Descripción MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 3.2 A (Ta) 1.5W (Ta) PowerPAK® SO-8

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Documentos y medios
Hojas de datos Si7465DP
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Hoja de datos de HTML Si7465DP
Modelos EDA/CAD SI7465DP-T1-E3 by Ultra Librarian
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Digi-Reel® 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 64mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
Número de pieza base SI7465
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI7465DP-T1-E3DKR