• No se dispone de envases con valor agregado; existen otras alternativas de envase.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7464DP-T1-E3CT-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SI7464DP-T1-E3

Descripción MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 1.8 A (Ta) 1.8 W (Ta) PowerPAK® SO-8

Documentos y medios
Hojas de datos SI7464DP
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.8 W (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 240 mOhm a 2.8 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7464DP-T1-E3CT

17:40:10 2/21/2018

Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI7464DP-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.90585
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