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SI7460DP-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 60V 11 A (Ta) 1.9W (Ta) PowerPAK® SO-8
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.78000 $1.78
10 1.59800 $15.98
100 1.17620 $117.62
500 0.99524 $497.62
1,000 0.84444 $844.44
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI7460DP-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 63,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.80813
  • Digi-Reel®  : SI7460DP-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 64,041 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI7460DP-T1-GE3

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Número de pieza de Digi-Key SI7460DP-T1-GE3CT-ND
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Número de pieza del fabricante SI7460DP-T1-GE3
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Descripción MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 11 A (Ta) 1.9W (Ta) PowerPAK® SO-8

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Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.6mOhm a 18A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 100nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.9W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar 1
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