Agregar a favoritos
SI7456DP-T1-E3 Canal N Montaje en superficie 100V 5.7 A (Ta) 1.9 W (Ta) PowerPAK® SO-8
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.96000 $1.96
10 1.77300 $17.73
100 1.42480 $142.48
500 1.10816 $554.08
1,000 0.91819 $918.19
Tarifa aduanera elegible ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7456DP-T1-E3CT-ND
Copiar   SI7456DP-T1-E3CT-ND
Cantidad disponible 13,313
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

SI7456DP-T1-E3

Copiar   SI7456DP-T1-E3
Descripción MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Copiar   MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 5.7 A (Ta) 1.9 W (Ta) PowerPAK® SO-8

Copiar   Canal N Montaje en superficie 100V 5.7 A (Ta) 1.9 W (Ta) PowerPAK® SO-8
Documentos y medios
Hojas de datos Si7456DP
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 25 mOhm a 9.3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 44nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.9 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • SI7456DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SI7456DP-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI7456DP-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
  • Precio unitario $1.96000
  • SI7456DP-T1-GE3CT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7456DP-T1-E3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI7456DP-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 12,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.82997
  • Digi-Reel® ? : SI7456DP-T1-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 13,313 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

01:18:22 11/17/2018