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SI7454DP-T1-E3 Canal N Montaje en superficie 100V 5 A (Ta) 1.9 W (Ta) PowerPAK® SO-8
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1 1.92000 $1.92
10 1.74300 $17.43
100 1.41150 $141.15
500 1.11004 $555.02
1,000 0.92915 $929.15
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7454DP-T1-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI7454DP-T1-E3

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Descripción MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 5 A (Ta) 1.9 W (Ta) PowerPAK® SO-8

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Documentos y medios
Hojas de datos SI7454DP
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 34 mOhm a 7.8A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.9 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7454DP-T1-E3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI7454DP-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.84354
  • Digi-Reel® ? : SI7454DP-T1-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 3,288 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

02:22:55 3/20/2019