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SI7434DP-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 250V 2.3 A (Ta) 1.9 W (Ta) PowerPAK® SO-8
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1 3.27000 $3.27
10 2.95400 $29.54
100 2.37360 $237.36
500 1.84614 $923.07
1,000 1.52965 $1,529.65
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7434DP-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 7,876
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI7434DP-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 250V 2.3 A (Ta) 1.9 W (Ta) PowerPAK® SO-8

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Documentos y medios
Hojas de datos Si7434DP
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 155 mOhm a 3.8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.9 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7434DP-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI7434DP-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 6,000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7,876 - Inmediata
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06:45:01 11/18/2018