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SI7430DP-T1-E3 Canal N Montaje en superficie 150V 26 A (Tc) 5.2W (Ta), 64W (Tc) PowerPAK® SO-8
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4,088 En Stock
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.63000 $2.63
10 2.36100 $23.61
25 2.22760 $55.69
100 1.73760 $173.76
250 1.69308 $423.27
500 1.47032 $735.16
1,000 1.24754 $1,247.54
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI7430DP-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.22972
  • Digi-Reel®  : SI7430DP-T1-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,088 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI7430DP-T1-E3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI7430DP-T1-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI7430DP-T1-E3
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Descripción MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 150V 26 A (Tc) 5.2W (Ta), 64W (Tc) PowerPAK® SO-8

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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 26 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 45mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 43nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1735pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI7430DP-T1-E3CT