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SI7415DN-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 60V 3.6 A (Ta) 1.5W (Ta) PowerPAK® 1212-8
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.40000 $1.40
10 1.25600 $12.56
25 1.19160 $29.79
100 0.89380 $89.38
500 0.75756 $378.78
1,000 0.61712 $617.12
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI7415DN-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 27,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.60861
  • Digi-Reel®  : SI7415DN-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 29,344 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI7415DN-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI7415DN-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI7415DN-T1-GE3
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Descripción MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 3.6 A (Ta) 1.5W (Ta) PowerPAK® 1212-8

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Documentos y medios
Hojas de datos Si7415DN
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 65mOhm a 5.7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8
Número de pieza base SI7415
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI7415DN-T1-GE3CT