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SI7386DP-T1-E3 Canal N Montaje en superficie 30V 12 A (Ta) 1.8W (Ta) PowerPAK® SO-8
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1 1.57000 $1.57
10 1.39800 $13.98
100 1.11320 $111.32
500 0.87228 $436.14
1,000 0.69703 $697.03
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7386DP-T1-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI7386DP-T1-E3

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Descripción MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 12 A (Ta) 1.8W (Ta) PowerPAK® SO-8

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Documentos y medios
Hojas de datos Si7386DP
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7mOhm a 19A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.8W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7386DP-T1-E3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI7386DP-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.63419
  • Digi-Reel® ? : SI7386DP-T1-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,073 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

17:08:35 4/23/2019