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SI7252DP-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 100 V 36.7 A 46 W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7252DP-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 31,699
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI7252DP-T1-GE3

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Descripción MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 100 V 36.7 A 46 W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual

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Documentos y medios
Hojas de datos Si7252DP
Diseño/especificación de PCN SI7252DP 30/Jan/2017
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 36.7 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 18 mOhm a 15 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 27 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1170 pF a 50 V
Potencia máxima 46 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual
Número de pieza base SI7252
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7252DP-T1-GE3CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.57000 $2.57
10 2.32200 $23.22
100 1.86560 $186.56
500 1.45102 $725.51
1,000 1.20227 $1,202.27
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 30,000 - Inmediata
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01:32:57 9/23/2018