Agregar a favoritos
SI7178DP-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 100V 60 A (Tc) 6.25 W (Ta), 104 W (Tc) PowerPAK® SO-8
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.80000 $2.80
10 2.53100 $25.31
100 2.03380 $203.38
500 1.58184 $790.92
1,000 1.31066 $1,310.66
Tarifa aduanera elegible ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7178DP-T1-GE3CT-ND
Copiar   SI7178DP-T1-GE3CT-ND
Cantidad disponible 27,554
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

SI7178DP-T1-GE3

Copiar   SI7178DP-T1-GE3
Descripción MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Copiar   MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 60 A (Tc) 6.25 W (Ta), 104 W (Tc) PowerPAK® SO-8

Copiar   Canal N Montaje en superficie 100V 60 A (Tc) 6.25 W (Ta), 104 W (Tc) PowerPAK® SO-8
Documentos y medios
Hojas de datos SI7178DP
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 60 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 14 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 72nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2870pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 6.25 W (Ta), 104 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • SIR882DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SIR882DP-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SIR882DP-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  • Precio unitario $2.84000
  • SIR882DP-T1-GE3CT-ND
  • SI7164DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SI7164DP-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI7164DP-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
  • Precio unitario $3.03000
  • SI7164DP-T1-GE3CT-ND
  • SIR870ADP-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SIR870ADP-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SIR870ADP-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  • Precio unitario $2.37000
  • SIR870ADP-T1-GE3CT-ND
  • BLM31SN500SH1L - Murata Electronics North America | 490-13268-1-ND DigiKey Electronics
  • BLM31SN500SH1L
  • Murata Electronics North America
  • FERRITE BEAD 50 OHM 1206 1LN
  • Precio unitario $0.40000
  • 490-13268-1-ND
  • PSMN1R1-30PL,127 - Nexperia USA Inc. | 1727-5291-ND DigiKey Electronics
  • PSMN1R1-30PL,127
  • Nexperia USA Inc.
  • MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
  • Precio unitario $3.24000
  • 1727-5291-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7178DP-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI7178DP-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 27,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.18473
  • Digi-Reel® ? : SI7178DP-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 27,554 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

03:46:30 11/19/2018