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SI7148DP-T1-E3 Canal N Montaje en superficie 75V 28 A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) PowerPAK® SO-8
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.92000 $1.92
10 1.72500 $17.25
25 1.62760 $40.69
100 1.26960 $126.96
500 1.07432 $537.16
1,000 0.91154 $911.54
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI7148DP-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 26,795 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.89852
  • Digi-Reel®  : SI7148DP-T1-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 26,795 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI7148DP-T1-E3

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Número de pieza de Digi-Key SI7148DP-T1-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI7148DP-T1-E3
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Descripción MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 75V 28 A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) PowerPAK® SO-8

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Documentos y medios
Hojas de datos SI7148DP
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 28 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 11mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 100nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2900pF @ 35V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
Número de pieza base SI7148
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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