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SI7139DP-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 30V 40 A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) PowerPAK® SO-8
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10 1.61200 $16.12
100 1.28390 $128.39
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7139DP-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI7139DP-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 40 A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) PowerPAK® SO-8

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Documentos y medios
Hojas de datos SI7139DP
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Wafer Site 12/Sep/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.5mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 146nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4230pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 5W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7139DP-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 3,000
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17:32:16 4/18/2019