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SI7115DN-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 150V 8.9 A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8
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10 2.18100 $21.81
100 1.76540 $176.54
500 1.38828 $694.14
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7115DN-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI7115DN-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 150V 8.9 A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8

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Documentos y medios
Hojas de datos SI7115DN
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8.9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 295mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 42nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1190pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operación -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7115DN-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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06:53:15 4/26/2019