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SI7114DN-T1-E3 Canal N Montaje en superficie 30V 11.7 A (Ta) 1.5 W (Ta) PowerPAK® 1212-8
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100 1.29240 $129.24
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7114DN-T1-E3CT-ND
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Cantidad disponible 14,378
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI7114DN-T1-E3

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Descripción MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
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Plazo estándar del fabricante 27 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 11.7 A (Ta) 1.5 W (Ta) PowerPAK® 1212-8

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Documentos y medios
Hojas de datos Si7114DN
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.5 mOhm a 18.3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.5 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7114DN-T1-E3CT
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06:12:09 11/19/2018