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SI7113DN-T1-E3 Canal P Montaje en superficie 100V 13.2 A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.77000 $2.77
10 2.49100 $24.91
25 2.35000 $58.75
100 1.83300 $183.30
500 1.55100 $775.50
1,000 1.31600 $1,316.00
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI7113DN-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $1.29720
  • Digi-Reel®  : SI7113DN-T1-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,144 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI7113DN-T1-E3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI7113DN-T1-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI7113DN-T1-E3
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Descripción MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 100V 13.2 A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8

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Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 13.2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 134mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 55nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1480pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8
Número de pieza base SI7113
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI7113DN-T1-E3CT