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SI7106DN-T1-E3 Canal N Montaje en superficie 20V 12.5 A (Ta) 1.5 W (Ta) PowerPAK® 1212-8
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7106DN-T1-E3CT-ND
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Cantidad disponible 41,970
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI7106DN-T1-E3

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Descripción MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8
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Plazo estándar del fabricante 27 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 12.5 A (Ta) 1.5 W (Ta) PowerPAK® 1212-8

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Documentos y medios
Hojas de datos Si7106DN
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.2 mOhm a 19.5 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 27nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.5 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7106DN-T1-E3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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21:04:16 10/20/2018