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SI6913DQ-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 12V 4.9 A 830mW Montaje en superficie 8-TSSOP
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.25000 $1.25
10 1.10900 $11.09
100 0.88300 $88.30
500 0.69184 $345.92
1,000 0.55283 $552.83
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI6913DQ-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 43,151
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI6913DQ-T1-GE3

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Descripción MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 12V 4.9 A 830mW Montaje en superficie 8-TSSOP

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Documentos y medios
Hojas de datos SI6913DQ
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal P (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.9 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 21mOhm a 5.8A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 900mV a 400µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 28nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds -
Potencia máxima 830mW
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-TSSOP (ancho 0.173", 4.40mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSSOP
Número de pieza base SI6913
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • TSM6963SDCARVGCT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI6913DQ-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI6913DQ-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 42,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.50299
  • Digi-Reel® ? : SI6913DQ-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 43,151 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

03:17:25 4/22/2019