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SI6562CDQ-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Canal N y P 20 V 6.7 A, 6.1 A 1.6 W, 1.7 W Montaje en superficie 8-TSSOP
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10 1.03600 $10.36
100 0.81890 $81.89
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI6562CDQ-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI6562CDQ-T1-GE3

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Descripción MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Canal N y P 20 V 6.7 A, 6.1 A 1.6 W, 1.7 W Montaje en superficie 8-TSSOP

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Documentos y medios
Hojas de datos SI6562CDQ
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6.7 A, 6.1 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 22 mOhm a 5.7 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 850 pF a 10 V
Potencia máxima 1.6 W, 1.7 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-TSSOP (ancho 0.173", 4.40 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSSOP
Número de pieza base SI6562
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI6562CDQ-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI6562CDQ-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.45430
  • Digi-Reel® ? : SI6562CDQ-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

20:23:06 11/17/2018