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SI6562CDQ-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Canal N y P 20V 6.7 A, 6.1 A 1.6W, 1.7W Montaje en superficie 8-TSSOP
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Cantidad
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1 1.20000 $1.20
10 1.06600 $10.66
100 0.84930 $84.93
500 0.66542 $332.71
1,000 0.53174 $531.74
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI6562CDQ-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI6562CDQ-T1-GE3

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Descripción MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Canal N y P 20V 6.7 A, 6.1 A 1.6W, 1.7W Montaje en superficie 8-TSSOP

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Documentos y medios
Hojas de datos SI6562CDQ
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6.7 A, 6.1 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 22mOhm a 5.7A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 850pF a 10V
Potencia máxima 1.6W, 1.7W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-TSSOP (ancho 0.173", 4.40mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSSOP
Número de pieza base SI6562
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI6562CDQ-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI6562CDQ-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 6,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.48380
  • Digi-Reel® ? : SI6562CDQ-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 9,850 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

17:50:03 4/23/2019