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SI5999EDU-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 20 V 6 A 10.4 W Montaje en superficie PowerPAK® ChipFET Dual
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI5999EDU-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 1,500
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI5999EDU-T1-GE3

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Descripción MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 20 V 6 A 10.4 W Montaje en superficie PowerPAK® ChipFET Dual

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Documentos y medios
Hojas de datos Si5999EDU
Obsolescencia PCN/ EOL Multiple Devices 14/Mar/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Dos canal P (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 59 mOhm a 3.5 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 496pF a 10 V
Potencia máxima 10.4 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® ChipFET™ Dual
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® ChipFET Dual
Número de pieza base SI5999
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI5999EDU-T1-GE3CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.71000 $0.71
10 0.62200 $6.22
100 0.47970 $47.97
500 0.35536 $177.68
1,000 0.28428 $284.28

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI5999EDU-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 12,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.27514

00:29:23 9/19/2018