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SI5936DU-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 6 A 10.4 W Montaje en superficie PowerPAK® ChipFET Dual
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI5936DU-T1-GE3CT-ND
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Número de pieza del fabricante

SI5936DU-T1-GE3

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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET
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Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 6 A 10.4 W Montaje en superficie PowerPAK® ChipFET Dual

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Documentos y medios
Hojas de datos SI5936DU
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 30 mOhm a 5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 320 pF a 15 V
Potencia máxima 10.4 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® ChipFET™ Dual
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® ChipFET Dual
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI5936DU-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI5936DU-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 27,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.27115
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 29,757 - Inmediata
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15:27:31 12/15/2018