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SI5515CDC-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Canal N y P 20 V 4 A 3.1 W Montaje en superficie 1206-8 ChipFET™
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI5515CDC-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI5515CDC-T1-GE3

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Descripción MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Canal N y P 20 V 4 A 3.1 W Montaje en superficie 1206-8 ChipFET™

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Documentos y medios
Hojas de datos SI5515CDC
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 36 mOhm a 6 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 800 mV a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11.3 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 632 pF a 10 V
Potencia máxima 3.1 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SMD, conductor plano
Paquete del dispositivo del proveedor 1206-8 ChipFET™
Número de pieza base SI5515
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI5515CDC-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI5515CDC-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.33495
  • Digi-Reel® ? : SI5515CDC-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

23:25:05 12/18/2018