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SI5504BDC-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Canal N y P 30V 4 A, 3.7 A 3.12W, 3.1W Montaje en superficie 1206-8 ChipFET™
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI5504BDC-T1-GE3TR-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI5504BDC-T1-GE3

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Descripción MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Canal N y P 30V 4 A, 3.7 A 3.12W, 3.1W Montaje en superficie 1206-8 ChipFET™

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Documentos y medios
Obsolescencia PCN/ EOL SI5504BDC-T1-E3,GE3 29/Apr/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta y rollo (TR) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4 A, 3.7 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 65mOhm a 3.1A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 220pF a 15V
Potencia máxima 3.12W, 3.1W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SMD, conductor plano
Paquete del dispositivo del proveedor 1206-8 ChipFET™
Número de pieza base SI5504
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000
Otros nombres SI5504BDC-T1-GE3TR
SI5504BDCT1GE3
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta cortada (CT) ? : SI5504BDC-T1-GE3CT-ND
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  • Cantidad disponible: 23,951 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 23,951 - Inmediata
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09:25:11 5/27/2019