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SI5457DC-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 20V 6 A (Tc) 5.7 W (Tc) 1206-8 ChipFET™
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI5457DC-T1-GE3CT-ND
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Número de pieza del fabricante

SI5457DC-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 20V 6A CHIPFET
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 6 A (Tc) 5.7 W (Tc) 1206-8 ChipFET™

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Documentos y medios
Hojas de datos SI5457DC
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 36 mOhm a 4.9 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38nC @ 10V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1000pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 5.7 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 1206-8 ChipFET™
Paquete / Caja (carcasa) 8-SMD, conductor plano
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI5457DC-T1-GE3CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.70000 $0.70
10 0.59200 $5.92
100 0.44420 $44.42
500 0.32574 $162.87
1,000 0.25171 $251.71
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI5457DC-T1-GE3TR-ND
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19:11:36 9/21/2018