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SI4936BDY-T1-E3 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30V 6.9A 2.8W Montaje en superficie 8-SO
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1 0.88000 $0.88
10 0.77100 $7.71
25 0.72400 $18.10
100 0.52540 $52.54
250 0.50668 $126.67
500 0.43898 $219.49
1,000 0.37360 $373.60
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI4936BDY-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 7,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.34005
  • Digi-Reel®  : SI4936BDY-T1-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 9,243 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI4936BDY-T1-E3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI4936BDY-T1-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI4936BDY-T1-E3
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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30V 6.9A 2.8W Montaje en superficie 8-SO

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Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6.9A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 35mOhm a 5.9A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 530pF a 15V
Potencia máxima 2.8W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base SI4936
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI4936BDY-T1-E3CT