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SI4931DY-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 12V 6.7 A 1.1W Montaje en superficie 8-SO
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4931DY-T1-GE3TR-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI4931DY-T1-GE3

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Descripción MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 12V 6.7 A 1.1W Montaje en superficie 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4931DY
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta y rollo (TR) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal P (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6.7 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 18mOhm a 8.9A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 350µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 52nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds -
Potencia máxima 1.1W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base SI4931
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500
Otros nombres SI4931DY-T1-GE3TR
SI4931DYT1GE3
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta cortada (CT) ? : SI4931DY-T1-GE3CT-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 40,825 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.16000
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 40,825 - Inmediata
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20:09:43 5/24/2019