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SI4925DDY-T1-GE3 MOSFET - Arreglos Dos canal P (doble) 30V 8A 5W Montaje en superficie 8-SO
Precio y compra
9,056 En Stock
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Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.92000 $0.92
10 0.82300 $8.23
25 0.78080 $19.52
100 0.58570 $58.57
250 0.58012 $145.03
500 0.49644 $248.22
1,000 0.40441 $404.41
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI4925DDY-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 7,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.39883
  • Digi-Reel®  : SI4925DDY-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 9,056 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI4925DDY-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI4925DDY-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI4925DDY-T1-GE3
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Descripción MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Dos canal P (doble) 30V 8A 5W Montaje en superficie 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4925DDY
Hoja de datos de HTML SI4925DDY
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal P (doble)
Característica de FET Estándar
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 29mOhm a 7.3A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1350pF a 15V
Potencia máxima 5W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base SI4925
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI4925DDY-T1-GE3CT