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SI4922BDY-T1-E3 MOSFET - Arreglos Dos canal N (doble) 30V 8A 3.1W Montaje en superficie 8-SO
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18,253 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.40000 $1.40
10 1.25600 $12.56
25 1.19160 $29.79
100 0.89380 $89.38
500 0.75756 $378.78
1,000 0.61712 $617.12
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI4922BDY-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 17,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.60861
  • Digi-Reel®  : SI4922BDY-T1-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 18,253 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI4922BDY-T1-E3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI4922BDY-T1-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI4922BDY-T1-E3
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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Dos canal N (doble) 30V 8A 3.1W Montaje en superficie 8-SO

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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Estándar
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8A
Rds On (máx) @ Id, Vgs 16mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 1.8V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 62nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2070pF a 15V
Potencia - Máx. 3.1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base SI4922
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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$0.48000 Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 1
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