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SI4909DY-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 40V 8 A 3.2W Montaje en superficie 8-SO
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1 1.22000 $1.22
10 1.08500 $10.85
100 0.86370 $86.37
500 0.67672 $338.36
1,000 0.54075 $540.75
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4909DY-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI4909DY-T1-GE3

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Descripción MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 40V 8 A 3.2W Montaje en superficie 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4909DY
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal P (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 27mOhm a 8A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 63nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2000pF a 20V
Potencia máxima 3.2W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI4909DY-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI4909DY-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.49200
  • Digi-Reel® ? : SI4909DY-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 6,725 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

19:49:34 4/23/2019