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SI4900DY-T1-E3 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 60 V 5.3 A 3.1 W Montaje en superficie 8-SO
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100 0.99930 $99.93
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4900DY-T1-E3CT-ND
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Cantidad disponible 14,842
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI4900DY-T1-E3

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Descripción MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 60 V 5.3 A 3.1 W Montaje en superficie 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4900DY
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.3 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 58 mOhm a 4.3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 665 pF a 15 V
Potencia máxima 3.1 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base SI4900
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI4900DY-T1-E3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI4900DY-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 12,500 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 14,842 - Inmediata
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04:00:27 12/17/2018