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SI4866BDY-T1-E3 Canal N Montaje en superficie 12V 21.5 A (Tc) 4.45 W (Tc) 8-SO
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4866BDY-T1-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI4866BDY-T1-E3

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Descripción MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 12V 21.5 A (Tc) 4.45 W (Tc) 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4866BDY
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Obsolescencia PCN/ EOL Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Última compra
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.3 mOhm a 12 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 80nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5020pF @ 6V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 4.45 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI4866BDY-T1-E3CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.63000 $1.63
10 1.44600 $14.46
100 1.14270 $114.27
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI4866BDY-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.57783

19:31:50 9/21/2018