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SI4864DY-T1-E3 Canal N Montaje en superficie 20V 17 A (Ta) 1.6 W (Ta) 8-SO
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4864DY-T1-E3-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI4864DY-T1-E3

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Descripción MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 17 A (Ta) 1.6 W (Ta) 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4864DY
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta y rollo (TR) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.5 mOhm a 25 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.6 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
2,500 2.32484 $5,812.10

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15:53:18 9/20/2018