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SI4838BDY-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 12V 34 A (Tc) 2.5 W (Ta), 5.7 W (Tc) 8-SO
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4838BDY-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI4838BDY-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 12V 34A 8-SOIC
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 12V 34 A (Tc) 2.5 W (Ta), 5.7 W (Tc) 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4838BDY
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 34 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.7 mOhm a 15 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 84nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5760pF @ 6V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 5.7 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI4838BDY-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI4838BDY-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.72380
  • Digi-Reel® ? : SI4838BDY-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,170 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

09:58:21 11/17/2018