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SI4618DY-T1-E3 Arreglo de MOSFET 2 canales N (medio puente) 30 V 8 A, 15.2 A 1.98 W, 4.16 W Montaje en superficie 8-SO
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.85000 $1.85
10 1.63500 $16.35
100 1.29240 $129.24
500 1.00230 $501.15
1,000 0.79129 $791.29
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4618DY-T1-E3CT-ND
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Cantidad disponible 1,782
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI4618DY-T1-E3

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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET 2 canales N (medio puente) 30 V 8 A, 15.2 A 1.98 W, 4.16 W Montaje en superficie 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4618DY-T1-(G)E3
Obsolescencia PCN/ EOL Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Última compra
Tipo FET 2 canales N (medio puente)
Característica de FET Estándar
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A, 15.2 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 17 mOhm a 8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 44 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1535 pF a 15 V
Potencia máxima 1.98 W, 4.16 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base SI4618
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI4618DY-T1-E3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI4618DY-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 7,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.71702

05:20:13 11/22/2018