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SI4599DY-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Canal N y P 40V 6.8 A, 5.8 A 3W, 3.1W Montaje en superficie 8-SO
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.06000 $1.06
10 0.93600 $9.36
100 0.72730 $72.73
500 0.54488 $272.44
1,000 0.44063 $440.63
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4599DY-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 25,680
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI4599DY-T1-GE3

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Descripción MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Canal N y P 40V 6.8 A, 5.8 A 3W, 3.1W Montaje en superficie 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4599DY
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6.8 A, 5.8 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 35.5mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 640pF a 20V
Potencia máxima 3W, 3.1W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base SI4599
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI4599DY-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI4599DY-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 25,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.38985
  • Digi-Reel® ? : SI4599DY-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 25,680 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

07:43:03 4/21/2019