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SI4559ADY-T1-E3 MOSFET - Arreglos Canal N y P 60V 5.3 A, 3.9 A 3.1W, 3.4W Montaje en superficie 8-SO
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1 1.23000 $1.23
10 1.09800 $10.98
25 1.04200 $26.05
100 0.78160 $78.16
500 0.66252 $331.26
1,000 0.53969 $539.69
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI4559ADY-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 30,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.53225
  • Digi-Reel®  : SI4559ADY-T1-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 32,026 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI4559ADY-T1-E3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI4559ADY-T1-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI4559ADY-T1-E3
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Descripción MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Canal N y P 60V 5.3 A, 3.9 A 3.1W, 3.4W Montaje en superficie 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos Si4559ADY
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 5.3 A, 3.9 A
Rds On (máx) @ Id, Vgs 58mOhm a 4.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 665pF a 15V
Potencia - Máx. 3.1W, 3.4W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base SI4559
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI4559ADY-T1-E3CT