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SI4501BDY-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Canal N y P, drenaje común 30 V, 8 V 12 A, 8 A 4.5 W, 3.1 W Montaje en superficie 8-SOIC
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4501BDY-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI4501BDY-T1-GE3

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Descripción MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Canal N y P, drenaje común 30 V, 8 V 12 A, 8 A 4.5 W, 3.1 W Montaje en superficie 8-SOIC

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4501BDY
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P, drenaje común
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V, 8 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A, 8 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 17 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 805 pF a 15 V
Potencia máxima 4.5 W, 3.1 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI4501BDY-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI4501BDY-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.25520
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,818 - Inmediata
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17:13:36 10/18/2018