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SI4477DY-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 20V 26.6 A (Tc) 3W (Ta), 6.6W (Tc) 8-SO
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10 1.51800 $15.18
100 1.20920 $120.92
500 0.94740 $473.70
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4477DY-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI4477DY-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 26.6 A (Tc) 3W (Ta), 6.6W (Tc) 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4477DY
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 26.6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.2mOhm a 18A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 190nC @ 10V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4600pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3W (Ta), 6.6W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI4477DY-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI4477DY-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 2,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.68880
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,005 - Inmediata
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11:51:55 5/19/2019