SI4472DY-T1-E3 Canal N Montaje en superficie 150V 7.7 A (Tc) 3.1 W (Ta), 5.9 W (Tc) 8-SO
Información general del producto
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Número de pieza del fabricante

SI4472DY-T1-E3

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Descripción MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 150V 7.7 A (Tc) 3.1 W (Ta), 5.9 W (Tc) 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4472DY
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Obsolescencia PCN/ EOL Multiple Devices 14/Mar/2018
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7.7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 45 mOhm a 5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 43nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1735pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1 W (Ta), 5.9 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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Otros nombres SI4472DY-T1-E3CT

07:31:40 12/17/2018