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SI4464DY-T1-E3 Canal N Montaje en superficie 200V 1.7 A (Ta) 1.5W (Ta) 8-SO
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11,536 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.10000 $1.10
10 0.98000 $9.80
25 0.93000 $23.25
100 0.69760 $69.76
500 0.59132 $295.66
1,000 0.48169 $481.69
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI4464DY-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 7,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.47505
  • Digi-Reel®  : SI4464DY-T1-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 11,536 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI4464DY-T1-E3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI4464DY-T1-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI4464DY-T1-E3
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Descripción MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 1.7 A (Ta) 1.5W (Ta) 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4464DY
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 1.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 240mOhm a 2.2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Número de pieza base SI4464
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI4464DY-T1-E3CT